電力用半導体素子（半導体バルブデバイス）であるIGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）に関する記述． ✗ ターンオン時の駆動ゲート電力がGTOに比べて小さい． ✗ 自己消弧能力がない． ◯ MOS構造のゲートとバイポーラトランジスタとを組み合わせた構造を…

パワーエレクトロニクスのスイッチング素子として，逆阻止3端子サイリスタは，素子のカソード端子に対し，アノード端子に加わる電圧が［正］のとき，ゲートに電流を注入するとターンオンする． 同様に，npn形のバイポーラトランジスタでは，素子のエミッタ端…

高圧回路に設置される発電機，電動機などの回転機器の［絶縁体］を雷または回路の開閉などに起因する［過電圧］から保護する目的で，［コンデンサ］と避雷器を並列に接続したものを，回転機器の近傍に設置する場合がある． ［コンデンサ］は急しゅんなサージ…

真空遮断器（VCB）は10^{-5} MPa以下の高真空中での高い［絶縁耐力］と強力な拡散作用による［消弧能力］を利用した遮断器である． 遮断電流を増大させるために適切な電極材料を使用するとともに，アークを制御することで電極の局部過熱と溶融を防いでいる．…

遮断器は送配電線や変電所母線，電気機器などの［短絡］故障時にその回路を遮断するための開閉器であるが，平常時は回路の開閉操作にも用いられる． 電路を開閉する装置としては他に［断路器］があり，単に充電された電路を開閉するためのみに用いられる． …